MISFET相关论文
日本NEC公司的一个研究小组声称他们打破了采用AlGaN/GaN结构的化合物半导体凹栅MISFET的输出功率记录。该研究小组把他们的这项成......
日本电气公司最近使用一种引人注目的超高速、超高频半导体元件材料—InP化合物半导体,试制成功了超高频MISFET(金属—绝缘物—半......
本文首先分析了影响pH-ISFET阈值电压的几个因素.随后给出了在不同的离子注入参数下SOS型MISFET的阈值电压(V_T)_M及对应的参比电......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
基于碳糊成模（carbon paste film forming)方法，我们研制了一种MISFET结构的Pt-LaF混合膜全固态溶解氧传感器，对传感器的器件结构以及......
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<正> GaN直接带隙宽、电子迁移率高、击穿电场高以及热导率良好,近年来GaN体电子器件的研发进展迅速。GaN基电子器件主要包括HEMT......
由于GaN能和AlGaN等多元合金形成异质结并在异质结界面形成高迁移率的二维电子气(2DEG)且具有高禁带宽度,所以第三代半导体GaN异质......
This paper demonstrates that threshold voltages of GaN MISFET are controlla-ble by varying the Mg ion doses for Mg ion i......
<正>近年来,宽禁带半导体材料中技术成熟度最高的碳化硅(SiC)在功率器件领域的技术进步十分引人注目。所谓新能源技术和产业(包括......
